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由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队,成功开发出一种“物理信息神经算子”模型。该模型分析铁电基NAND设备性能的速度,比现有模型快逾万倍,相关成果已对外公布。基于相关研究成果,三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

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